[問題] 65nm 和 130 nm 實現LNA之差異
※ [本文轉錄自 comm_and_RF 看板 #1CJmqsSf ]
作者: LeJ23 (James) 看板: comm_and_RF
標題: [問題] 65nm 和 130 nm 實現LNA之差異
時間: Wed Jul 28 00:45:39 2010
我是剛做RF領域的新手 有一些問題一直猜不透 就是使用65nm與130nm來實現2.4GHz
LNA的差別 就大家的認知65nm的Ft很快 用130nm來做60GHz電路可能電壓增益很低 但是
用65nm來做可能可以做到20dB 但是如果用來實現2.4GHz而言 Gm因為short channel的
關係和Cox差不多(12fF左右)這兩種製程可能差距不大(相同的電流之下) 而架構上如果是
使用傳統的cascode加上電感負載(主極點都大於2.4GHz) 那麼這兩種製程的電壓增益
會有差嗎??
再來針對雜訊部份 電晶體的雜訊電流平方是4KTrGm 而這個r好像會隨著製程微縮而變大
(paper有提到)有就是說如果這2個製程Gm差不多但是r卻是65nm比較大 那麼不就
input-refer noise voltage 65nm比較大了嗎?? 再者傳統CS LNA的NF會因為Cgs而上昇
(T. Lee書有寫) 但是對於這兩種製程而言 他們的Ft都遠大2.4G(寄生電容較小) Cgs可能
都是<50 fF 也就是說由於Cgs所造成的NF上升 比例都已經很小了 那麼這2種製程NF會
有差嗎??
根據上述2種問題 就對實現2.4GHz LNA而言 是不是65nm比起130nm沒有優勢 難道只有實
現毫米波電路才看的到優勢
其實這個問題也可以引申到其他射頻電路或者類比電路上 對於一顆收發機到底65nm的優勢
在哪??
謝謝各位大大的指教
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