[問題] 關於cell-based使用RAM (ra1sh)的疑問?!

看板Electronics作者 (無奈)時間15年前 (2010/06/09 01:18), 編輯推噓2(204)
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之前聽人家說使用cell-based的RAM要注意它的輸出會有latency 可是我剛剛隨便產生一個來做function驗證 而在用simvision看波形的時候得到的卻是... 每當送讀取信號給特定的地址做讀取動作,結果會在同一個週期內得到輸出結果?! 而不是人家說的會慢一個clk週期..... 我想請問這是甚麼原因呢?? 我自己的印象中使用Altera的RAM來做function模擬也是有這情形~~ 但是如果是做有考慮timing的後模擬就會真的慢一個clk.... 另外Xilinx的RAM在function模擬時好像就會慢一個clk才輸出讀取的資料(有點忘了 = =") 所以想請問一下各位 對cell-based的RAM來說,它所讀取的資料是不是真的慢一個週期輸出?(下一個正緣輸出) 如果是這樣的話,那麼function模擬跟到時的後模擬不就不一樣.... 而這樣的問題....想請問有經驗的各位是怎樣處理的? 謝謝了!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.230.52.36

06/09 17:12, , 1F
Quartus II也有支援RAM I/O加registers的設定。
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06/09 22:01, , 2F
不過在I/O加reg這樣不就變兩個latency?
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06/09 22:02, , 3F
還是說在function模擬時加上去當後模擬在拿掉?
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06/09 22:03, , 4F
那cell-based時的做法呢?....有人可以分享一下嗎?
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06/10 10:35, , 5F
Quartus II可以registers只加inputs或只加outputs,我印像去
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它的Mega-wizard的memory compiler找找。
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