[問題] Bypass電容的選擇

看板Electronics作者 (愛上熱舞社~)時間15年前 (2010/06/02 21:21), 編輯推噓1(103)
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要開始測CHIP了,有些問題想要問大家 在網路上查到的資料要加Bypass電容在電源的兩端 現在的電源有兩個,一個1.2V,一個3.3V 查到的資料是加10uF在靠近power supply端,加0.1uF在CHIP端 但是現在有點問題的是容值的問題 學姊是要我們用47uF來取代10uF的電容,但是我不知道怎麼樣才是對的選擇 我知道容值的大小跟要濾的雜訊頻率有關係 但是到底採用多少的容值對我的電路才能提供最穩定的電壓呢?? 另外還看到有要串聯一個電阻在power supply 與CHIP之間 請問這個電阻的作用是用來降低ESR電阻的效應還是來限制power supply 進來的瞬間電流呢?? 要採用多大的電阻值呢?? 我現在是用1K,但網路上查到的似乎是要使用小電阻才是比較正確的選擇 先謝謝大家的回答 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.114.28.55

06/02 23:18, , 1F
要看哪種的power~~一般都用22~47uf
06/02 23:18, 1F

06/02 23:19, , 2F
沒意外應該叫隔離電阻~~一般10k
06/02 23:19, 2F

06/03 03:54, , 3F
1mA x 1k ohms = 1V, are you sure using Res. is right?
06/03 03:54, 3F

06/03 03:56, , 4F
IR drop kills you. maybe Ferrite Bead is what you want
06/03 03:56, 4F
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