[問題]想請教各位前輩一個模擬bias ckt的問題~感恩!

看板Electronics作者 (DWAH)時間15年前 (2010/04/24 13:15), 編輯推噓11(11推 0噓 16→)
留言27則, 4人參與, 7年前最新討論串1/1
電路位置:http://imgur.com/jLUqa.png
如圖是一個簡單的產生電流的電路,小弟想模擬PVT變異對IB1的影響 在這裡小弟有個疑問,想請教各位前輩我該如何模擬呢?? 如果照圖來模擬,因為M2上方為OPEN,那怎麼會有電流IB1呢! 如果不可以OPEN,那我又該在M2上方加什麼LAODING讓之形成路逕呢?? (因為加不同的LOADING應該會影響到MIRROR出來的電流效能吧?!) 還是說所謂模擬這個BIAS CKT的IB,是模擬M1的CURRENT??而M2只是畫好玩的?? 但是MIRROR出去的電流會受LOADING影響吧??那我又該如何決定與模擬?? 感謝各位前輩了!? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.38.52.5
推
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當然會受到loading的影響囉，給個電阻接到VDD就可以了
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推
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而且這個電阻越小越好，才不會受到ro的影響，也不會讓M2
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推
04/24 14:07, , 3F
triode
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推
04/24 14:08, , 4F
其實你一般來看M2上面接下來會接兩個NMOS形成差動對
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推
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阻抗是1/gm，滿足要求~~~
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推
04/24 14:10, , 6F
我這樣講也不完全對啦，還要看你到底確切的問題是什麼...
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推
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看你的重點擺在哪 M2要避免CLM的話 就改接成cascode吧..
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04/24 14:22, , 8F
恩!感謝J大與P大!因為我是要模擬好幾種BIASCKT對PVT的變化，
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所以我才想說CLM應該會影響吧!因為有一些是CASCODE結構的!
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但是拉出來看IB的MOS(像此圖的M2)都只有單顆，所以我想說是要
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加LOADING，還是直接比產生的電流就好(如此圖M1的CURRRNT)
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所以J大的意思是每一種CKT都用同樣的LOADING來模擬就好?
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還有一個問題~不同的BIASCKT，產生的COMMON-MODE大小不同
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那都加相同LOADING公平嗎??所以我才想說所謂BIAS CKT的模擬
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只是模擬產生CONST. GM(如M1的電流)那一塊的電流，而圖中畫的
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推
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依照J大的說法加的電阻太小你的M2 VDS還是需要承受較大的CLM
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拉出來M2的IB只是一個可以MIRROR的示意圖，並非要模擬它對PVT
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如果care這部分的效應，先加大length看看lamda大概會多大
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的變異
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推
04/24 15:06, , 20F
lambda越小就越準，Vo也不能太大，我剛剛的說法是有誤的~
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推
04/24 15:07, , 21F
應該從大信號的觀點來看，不是小信號電阻m(_ _)m
04/24 15:07, 21F
推
04/24 15:07, , 22F
你可以在output加一個固定的電壓源來驗證這件事情 剛剛好
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04/24 16:18, , 23F
恩!感謝J大~!!
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08/13 18:58, , 24F
而且這個電阻越小越好， https://muxiv.com
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09/17 22:53, , 25F
應該從大信號的觀點來看 https://daxiv.com
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11/11 15:46, , 26F
阻抗是1/gm，滿足要 https://daxiv.com
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01/04 22:09, 7年前 , 27F
lambda越小就越準 https://muxiv.com
01/04 22:09, 27F
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