[問題] PMOS計算題 (Smith ed.5 P4.61)

看板Electronics作者 (...)時間16年前 (2010/01/15 23:16), 編輯推噓1(107)
留言8則, 2人參與, 最新討論串1/1
這是在Smith的第五版第四章P4.61的題目:http://tinyurl.com/y86vzvn 裡面的P4.61題目中有一段講到: ...so that the transistor operates in saturation with VD biased 1V from the edge of the triode region, ... 這段話的意思是什麼呢? 看到下面的答案,他將 VDS = VGS - Vt,然後又多減了一個 1 ,變成了 VDS = VGS - Vt - 1 請問各位前輩們,這裡為什麼要多減一個 1 呢?怎麼想都想不通啊... 程度很差,希望各位前輩幫幫忙,謝謝各位前輩 <(_ _)> -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.125.169.71

01/16 11:55, , 1F
幫您把題目跟答案剪在一起 http://ppt.cc/f@gR
01/16 11:55, 1F

01/16 11:56, , 2F
題目的意思是 要你把電晶體操作 在距離三極體區1V遠的
01/16 11:56, 2F

01/16 11:56, , 3F
的位置
01/16 11:56, 3F

01/16 13:58, , 4F
那請問是在那條中間線的左邊(三極區)1V還是右邊(飽和區)
01/16 13:58, 4F

01/16 13:58, , 5F
1V呢?
01/16 13:58, 5F

01/16 14:00, , 6F
是因為VGS - Vt = -3 - (-1) = -2 要比-2V更負的-3V嗎?
01/16 14:00, 6F

01/16 14:01, , 7F
所以才寫說是 "在距離三極體區1V遠" 嗎?
01/16 14:01, 7F

01/16 14:02, , 8F
但是VDS剛好在-2V不也是可以嗎?問題真多真不好意思...
01/16 14:02, 8F
文章代碼(AID): #1BK8RZxc (Electronics)