[問題] hspice 製程檔參數問題

看板Electronics作者 (加百利)時間16年前 (2009/12/13 21:26), 編輯推噓2(203)
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在板上爬文有關「製程」、「參數」的文章 雖然有討論,不過我對於回文及推文的解答 有點疑問所以想請各位指點一下 以下為 cic018 部份的內容 *3.3V NMOS +DTOX_N_33 = 5E-10 DLINT_N_33 = -1.23E-8 DWINT_N_33 = 9E-9 +DVTH0_N_33 = 0.06 DCGDO_N_33 = -2.7E-11 DCGSO_N_33 = -2.7E-11 *3.3V PMOS +DTOX_P_33 = 5E-10 DLINT_P_33 = -1.3396e-8 DWINT_P_33 = 3E-8 +DVTH0_P_33 = -0.06 DCGDO_P_33 = -2.6E-11 DCGSO_P_33 = -2.6E-11 *3.3V NMOS Deep_NWell +DTOX_N_BPW_33 = 5E-10 DLINT_N_BPW_33= -1.33E-8 DWINT_N_BPW_33= 7E-9 +DVTH0_N_BPW_33 = 0.06 DCGDO_N_BPW_33= -2.7E-11 DCGSO_N_BPW_33= -2.6E-11 *1.8V Low Vth NMOS +DTOX_N_LV_18 = 2.5E-10 DLINT_N_LV_18 = -2.43E-8 DWINT_N_LV_18 = 1E-8 +DVTH0_N_LV_18 = 0.05 DCGDO_N_LV_18 = -10*0.9 DCGSO_N_LV_18 = -10*0.9 *1.8V Low Vth PMOS +DTOX_P_LV_18 = 2.5E-10 DLINT_P_LV_18 = -1.5E-8 DWINT_P_LV_18 = 1E-8 +DVTH0_P_LV_18 = -0.05 DCGDO_P_LV_18 = -10*0.9 DCGSO_P_LV_18 = -10*0.9 *3.3V Low Vth NMOS +DTOX_N_LV_33 = 5E-10 DLINT_N_LV_33 = -3.93E-8 DWINT_N_LV_33 = 1E-8 +DVTH0_N_LV_33 = 0.05 DCGDO_N_LV_33 = -10*0.09 DCGSO_N_LV_33 = -10*0.09 *3.3V Low Vth PMOS +DTOX_P_LV_33 = 5E-10 DLINT_P_LV_33 = -2.5E-8 DWINT_P_LV_33 = 1E-8 +DVTH0_P_LV_33 = 0.05 DCGDO_P_LV_33 = -10*0.9 DCGSO_P_LV_33 = -10*0.9 有幾個小問題想請問一下 1. 以 3.3V NMOS 為例,意思是只要設定電晶體時後面model名稱打 N_33 他就會到這一塊抓資料,打N_18就會到1.8V那個區塊抓資料,是嗎? 2. 我設計電路,手算部份需要 unCox 的值,不過在參數檔裡 找好像只有 tox 的值 (例如+DTOX_N_LV_33 = 5E-10) 可是似乎沒有 eox 的值 (還是說取真空的電容率? 而un又要到哪找? 麻煩各位高手指點一下 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.25.180.138

12/13 21:56, , 1F
eox應該可以用3.9*8.84*1e-14吧?
12/13 21:56, 1F

12/13 21:57, , 2F
就大概估一下
12/13 21:57, 2F

12/14 01:32, , 3F
Cox要用eox除tox去算阿 單位要注意喔
12/14 01:32, 3F

12/14 01:36, , 4F
那un呢...以及 eox 的值是一樓所說的嗎?那個值是oxide
12/14 01:36, 4F

12/14 01:36, , 5F
的電容率?
12/14 01:36, 5F
文章代碼(AID): #1B9Ejjya (Electronics)