[問題] 請問SoC的Core中又分為H/R/LVT三種device

看板Electronics作者 (幸福的小羊)時間16年前 (2009/12/07 00:16), 編輯推噓1(1推 0噓 2→)
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之前在晶圓廠做事 了解到die的電路設計 中間部分是core部分 外圍則是I/O的部分 在看WAT data時常把core內的device又分做 1)HVT(high Vt)的MOS 2)RVT(regular Vt)的MOS 3)LVT(low Vt)的MOS 三種不同性質的 MOSFET device 請問前輩們有人知道這是為什麼嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.39.106.181
推
12/07 05:08, , 1F
doping 濃度不同造成你的Threshold Voltage不同...
12/07 05:08, 1F
→
12/07 05:09, , 2F
理論上LVT最快,但漏電流最嚴重,反之HVT最慢,但漏電就還好
12/07 05:09, 2F
→
12/07 14:09, , 3F
可以做Low Power的設計
12/07 14:09, 3F
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