Re: [問題] 電子學抽象名詞解釋
※ 引述《yihsianghuan (unknown)》之銘言：
: 以下名詞是在電子學書中讀到的
: 感覺這些名詞都很抽象
: 有人可以簡單地用中文或英文解釋嗎?
: (1) MOS threshold voltage
: (2) short channel effect
: (3) MOS in strong inversion mode
: (4)Body Effect
: (5)narrow channel effect
: (6)channel length modulation
期中考要到了
我想你平常應該很少唸書
但是基於要把小朋友騙進晶圓產業的目標（看這些題目，像是固態元件的）
我還是幫你解答一下
1. Vth, 你的課本裡面有公式 Id = 0.5*k'*(W/L)*(Vgs-Vth)^2 (1 + lambda*Vds)
裡面的Vth就是這個
2. 當通道長度越來越短（短於0.5u之後）Vth會隨L變小（去看Yuan Tao的書）
3. 去wiki查weak inversion/strong inversion吧
4. Body Effect......基板(Substrate)跟Source的電壓不同，會讓Vth有變化
5. 我記得是S/D部分由於載子擴散效應還是什麼的，讓W, L跟實際上不同
6. 隨著Vdds的變化，實際上夾止(pinch-off)的區間越來越大，電流也會隨之變大
--
為什麼那邊那個人那麼傷心呢? ││││││
因為他是北部人啊，吃的比我們還毒哩! 2.5ppm ˍ︵ │││ 還好我們
0.5ppm ◥ ◥ 2ppm ╱ ╱▏ ││ 不用吃…
◤ ◥ ◤ ◥ │￣▏ ˍ 0ppm
| | | ╱ ╱ ﹨
◥◢ ￣ （||） ω ╯ ㄦ
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 122.116.95.114
推
11/10 02:19, , 1F
11/10 02:19, 1F
→
11/10 02:21, , 2F
11/10 02:21, 2F
→
11/10 02:21, , 3F
11/10 02:21, 3F
推
11/10 08:09, , 4F
11/10 08:09, 4F
→
11/10 08:10, , 5F
11/10 08:10, 5F
→
11/10 08:11, , 6F
11/10 08:11, 6F
→
11/10 10:05, , 7F
11/10 10:05, 7F
推
11/10 10:21, , 8F
11/10 10:21, 8F
→
11/10 10:22, , 9F
11/10 10:22, 9F
→
11/10 10:22, , 10F
11/10 10:22, 10F
→
11/10 10:23, , 11F
11/10 10:23, 11F
推
11/10 10:27, , 12F
11/10 10:27, 12F
→
11/10 10:28, , 13F
11/10 10:28, 13F
→
11/10 10:28, , 14F
11/10 10:28, 14F
推
11/10 10:31, , 15F
11/10 10:31, 15F
推
11/10 17:16, , 16F
11/10 17:16, 16F
→
11/10 17:18, , 17F
11/10 17:18, 17F
推
11/10 19:13, , 18F
11/10 19:13, 18F
→
11/10 19:13, , 19F
11/10 19:13, 19F
推
11/10 19:23, , 20F
11/10 19:23, 20F
→
11/10 22:44, , 21F
11/10 22:44, 21F
推
11/10 23:18, , 22F
11/10 23:18, 22F
推
11/11 10:18, , 23F
11/11 10:18, 23F
→
11/11 10:18, , 24F
11/11 10:18, 24F
推
11/13 23:25, , 25F
11/13 23:25, 25F
→
11/13 23:26, , 26F
11/13 23:26, 26F
→
08/13 18:51, , 27F
08/13 18:51, 27F
→
09/17 22:46, , 28F
09/17 22:46, 28F
→
11/11 15:31, , 29F
11/11 15:31, 29F
→
01/04 22:04,
5年前
, 30F
01/04 22:04, 30F