[問題] MOS的模擬
最近在做單個MOS的模擬,遇上了一個問題,下面是我的SP檔
A:
.protect
.lib 'rf018.l' tt
.unprotect
.temp 25
.global vdd vss
vvdd vdd 0 dc 0.9v
vvss vss 0 dc -0.9v
︿︿︿︿︿
mm1 vdd g vss vss nch w=1u l=1u
vg g vss dc 0 ac 1
︿︿
.ac dec 100 0.1 10ghz
.end
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B:
.protect
.lib 'rf018.l' tt
.unprotect
.temp 25
.global vdd vss
vvdd vdd 0 dc 1.8v
vvss vss 0 dc 0v
︿︿︿︿
mm1 vdd g vss vss nch w=1u l=1u
vg g vss dc 0.9 ac 1
︿︿︿
.ac dec 100 0.1 10ghz
.end
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想請問一下板上的各位
我模擬出來的結果A會Cutoff,B則是在saturation
NMOS要Saturation的話,不是VDS≧VGS-Vt就可以嗎?
可是上面兩個檔不同在輸入電壓一個是由-0.9v到0.9v,另一個是0到1.8v
這樣不是只是改變準位而已嗎?
為什麼工作區會改變呢?
我用PMOS模擬的話,則AB都會在Saturation
是我有哪裡沒有考慮到嗎?
麻煩請大家幫我解惑,謝謝!!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 58.99.78.152
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