[問題] MOS subthreshold region

看板Electronics作者 (我爸抓了一隻鴿子給我)時間16年前 (2009/06/11 23:13), 編輯推噓4(4推 0噓 11→)
留言15則, 7人參與, 7年前最新討論串1/1
大家好 小弟在設計電路時，MOS 因為size比較大進到了Subthreshold region， 想請問這區的model 準嗎? 或是說我的電路操作在這區實際下線可行嗎? 電路是source follower 當buffer使用，要個大gm 煩請高手指點 謝謝!~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 59.112.208.159
推
06/11 23:45, , 1F
有人電路會故意操作在這一區嗎XD
06/11 23:45, 1F
推
06/11 23:53, , 2F
次臨界區，操作速度要非常慢吧，應用目標在？
06/11 23:53, 2F
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06/12 00:04, , 3F
工作頻率大約在100M左右
06/12 00:04, 3F
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06/12 00:06, , 4F
我也不想在這區押~可是buffer size大，很容易就進去了
06/12 00:06, 4F
推
06/12 07:20, , 5F
準度一定比turn on區不準，因為他的電流是跨了好幾個
06/12 07:20, 5F
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06/12 07:20, , 6F
order的，想也知道不可能完全match... 還要看你MOS是
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06/12 07:21, , 7F
哪一種材料
06/12 07:21, 7F
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06/12 07:22, , 8F
Silicon算比較準一點的... 如果是TFT準確度可能更差
06/12 07:22, 8F
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06/13 00:47, , 9F
說點題外話,有些low power設計的確是會特別去用
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06/13 00:47, , 10F
subthreshold region
06/13 00:47, 10F
推
06/13 09:18, , 11F
比如dc offset cancellation 要大gm 但頻寬很小，subth.reg
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06/13 09:18, , 12F
就會省POWER
06/13 09:18, 12F
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11/11 15:11, , 13F
準度一定比turn o https://daxiv.com
11/11 15:11, 13F
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01/04 21:57, 7年前 , 14F
//daxiv.com
01/04 21:57, 14F
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01/04 21:57, 7年前 , 15F
01/04 21:57, 15F
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