[問題] 關於MOS的耐壓問題

看板Electronics作者 (昡)時間17年前 (2009/03/23 18:10), 編輯推噓1(1推 0噓 0→)
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我想請問關於在TSMC 0.18製程下 其3.3V MOS的耐壓是多少伏特 我查詢相關的技術文件 其中diode geometric junction model裡 P+/Nwell以及N+/Pwell的bias range為-12~1.5V 這是否意味著只要我加在diffusion上的電壓只要不超過12服就不會對MOS造成影響? 是否有任何相關文件能查到MOS的耐壓參數呢 WAT or PCM? 這兩個是啥東東 感謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.117.164.197
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Wafer Acceptance Test Process Control Monitor
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