[問題] MOSFET的問題

看板Electronics作者 (傷心)時間15年前 (2009/03/23 18:00), 編輯推噓1(1推 0噓 1→)
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這個問題一直困擾我很久(可能是很簡單的觀念) 就是MOSFET(以NMOS為例)在飽和區時,因為考慮到D端的 n+ 和p-sub 音問逆偏而會在接面產生空乏區,會使通道長度縮短,好像稱pinch off 所以電流會增大,這個叫通道長度調變效應吧!那我的問題是:既然靠近D端的通道 已經pinch off 為什麼還會有電子可以通過? 而且是比沒有通道調變還要大! 麻煩高手解答!謝謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 163.25.118.140
推
03/23 18:44, , 1F
因為D極的空乏區的內建電場會變大把通道中的載子掃入D極
03/23 18:44, 1F
→
03/23 20:13, , 2F
謝啦~了解
03/23 20:13, 2F
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