[問題] 電子學一問

看板Electronics作者 (老人)時間17年前 (2008/12/24 20:51), 編輯推噓4(402)
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當MOSFET操作在飽和區時,其Id與VGS關係為何? (C)Id正比於(VGS-Vt)(D)Id正比於(VGS-Vt)的平方 答案是C 工作於飽和區的電流Id公式不是=1/2Kn(W/L){(VGS-Vt)平方}嗎 為什麼答案是C呢?還是我觀念不清楚啊??? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.131.48.245

12/24 21:25, , 1F
有沒有考慮答案錯了?
12/24 21:25, 1F

12/24 21:38, , 2F
我也絕得答案錯了...這是今年地特五等的考題...
12/24 21:38, 2F

12/24 21:45, , 3F
short channel??
12/24 21:45, 3F

12/25 11:16, , 4F
如果是gm的話跟就是正比(Vgs-Vt)
12/25 11:16, 4F

12/25 13:06, , 5F
重點他問的是Id啊
12/25 13:06, 5F

12/30 21:00, , 6F
題目模糊= = 已經早就不是平方項了...
12/30 21:00, 6F
文章代碼(AID): #19KZ16Xs (Electronics)