[問題] 電子學一問
當MOSFET操作在飽和區時,其Id與VGS關係為何?
(C)Id正比於(VGS-Vt)(D)Id正比於(VGS-Vt)的平方
答案是C
工作於飽和區的電流Id公式不是=1/2Kn(W/L){(VGS-Vt)平方}嗎
為什麼答案是C呢?還是我觀念不清楚啊???
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