[問題]E-MOSFET跟D-MOSFET的差別在哪?

看板Electronics作者 (無敵鐵金剛)時間17年前 (2008/12/23 22:29), 編輯推噓2(2推 0噓 4→)
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如題 請問差別在哪呢?? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.143.214.75
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12/23 22:33, , 1F
課本都有寫不是嗎 增強跟空乏
12/23 22:33, 1F
推
12/24 03:21, , 2F
都以gs兩端偏壓控制，增強型vgs>vt方有通道
12/24 03:21, 2F
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12/24 03:22, , 3F
空乏式即使無外加偏壓 也會有通道(電流)
12/24 03:22, 3F
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12/24 03:22, , 4F
這應該是比較主要的差別...
12/24 03:22, 4F
推
12/24 18:15, , 5F
EMOS需外加偏壓產生通道
12/24 18:15, 5F
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12/24 18:16, , 6F
DMOS自己已經有通道..外加偏壓只是控制通道深淺
12/24 18:16, 6F
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