[問題] 矽鍺異質接面電晶體參數萃取
一般在論文上可以搜尋到矽鍺異質接面電晶體小信號等效電路參數萃取的直接萃取方法
。但是小弟我在分析數據時全照做還是沒辦法上我的本質參數萃出來是跟頻率無關，
所以小弟我要請問板上有經驗的大大幫我解惑:
1.我的open & short pad是很general的佈局方式，並非實際拿掉DUT的走線佈局，不
知道這樣去扣pad會不會有誤差?
2.我的量測設定是 400M~26.5GHz step 20MHz IF 500Hz Output power -12dbm(略
大於該顆元件(TSMC hw153c2)的P1dB，使用SOLT校正方式，使用安捷倫的power sup
ply當做電源供應器。以上是我的設定，不知道這樣是否為正確且標準的量測方法?
3.小弟使用二步去嵌化，不知這樣夠不夠精確?
煩請有經驗的大大跟我分享一下經驗，可以的話讓小弟能夠與你聯繫，因為小弟從
暑假一直萃取到現在都得到同樣的結果。 感恩。
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