[問題] MOSFET 的一些問題

看板Electronics作者 (Galaxy)時間17年前 (2008/12/02 18:34), 編輯推噓3(3推 0噓 10→)
留言13則, 4人參與, 7年前最新討論串1/1
最近學MOS有些東西想要請教你們 1.為什麼最好用的偏壓結構是用電流下去做 2.有個公式 Vt = Vt0 + γ + [(2φf + VBS) ^1/2 - (2φf)^1/2] 請問這個公式是什麼意思 謝謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.227.242.31
推
12/03 09:34, , 1F
2. body effect (Vt will increase when VBS =/= 0)_
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12/03 09:35, , 2F
γ 後面不是 + 是 x
12/03 09:35, 2F
推
12/03 21:23, , 3F
問題1看不大懂也 你是指什麼意思呀? 電流源..?
12/03 21:23, 3F
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12/03 22:10, , 4F
1.是因為電流比較不受干擾 電壓會有很多雜訊
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12/03 22:11, , 5F
所以才會有current mirror這種東西
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12/03 22:11, , 6F
2.看你是從那個角度 電路設計來看的話
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12/03 22:12, , 7F
可以看出來Vbs也可以影響Vt 進而影響Ids
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12/03 22:13, , 8F
所以可以產生一個模型給MOSFET 裡面不只有一般的gm(Vgs)
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12/03 22:13, , 9F
還可以有另一個gm(Vsb) 換句話說 Bulk可以看成另一個gate
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12/03 22:14, , 10F
有人省電的方法 就是配合SOI 及時調整Vb 進而增加/減少Vt
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推
12/05 17:35, , 11F
樓上說的就是 DTMOS (Dynamic Threshold MOS)
12/05 17:35, 11F
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11/11 14:52, , 12F
所以才會有curren https://daxiv.com
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01/04 21:50, 7年前 , 13F
問題1看不大懂也 你是 https://noxiv.com
01/04 21:50, 13F
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