[轉錄][問題] MOS+BJT

看板Electronics作者Ice98 (又寂寞又美好)時間17年前 (2008/11/07 20:50)推噓2(2推 0噓 10→)

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※ [本文轉錄自 NEMS 看板] 作者: koutateyoshi (J) 看板: NEMS 標題: [問題] MOS+BJT 時間: Fri Nov 7 18:58:17 2008 各位板大您們好：因為我在論文上見到一種設計方式叫做MOS操作在旁路BJT的模式，簡單的說就是把MOS 跟BJT做在一起，是由Eric A. Vittoz這位學者所發表的，他在做低功率放大器裡面應該是個大咖，這樣的設計法對於降低1/f有怎樣的優點呢?? 此外在一些文獻上所標的符號如下圖： | | --- || Vcascp ---|| Mc2 || --> | | 中的Vcascp適合意，指的是NMOS串接NPN嗎??也就是上述的設計法?? 請解惑~~ 感激不盡!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.231.219 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.14.214

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rickhsu

11/07 21:31, , 1^F

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rickhsu

11/07 21:32, , 2^F

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推

paullai

11/07 21:37, , 3^F

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