[問題] NMOSFET外質參數萃取
請問板上各位大大，小弟參閱了一些paper，發現萃取外質串聯電阻有許多方法。小弟
身邊有的儀器有PNA，bias T，power supply，想要用S參數量測萃取出外質串聯電阻。
較舊的paper用cold-FET方式，較新的則使用一般偏壓去萃取，可是它需要一些fitting
的方法，而且掃頻範圍要設定在很寬，到40GHz，可是小弟的bias T只能準確到26.5GHz
，在這樣的情況下，請問大大們有什麼方法可以做到萃取外質串聯電阻嗎? 謝謝。
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