[問題]4T SRAM 退出市場的原因

看板Electronics作者 (再拼一下)時間17年前 (2008/07/22 22:19), 編輯推噓1(1推 0噓 0→)
留言1則, 1人參與, 最新討論串1/1
雖然4T SRAM 沒像6T那樣，在logic process那樣容易搭 但是4T cell面積小.... 記得很久以前看過4T 有一個問題 但是忘了. 請問不知有誰能對4T 的技術上所遇到問題簡述一下. Thank you. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.120.32.35 ※ 編輯: xzcvb 來自: 122.120.32.35 (07/22 22:19) ※ xzcvb:轉錄至看板 comm_and_RF 07/23 22:20
推
07/24 21:08, , 1F
leakage current? 4T跟6T差在那兩個PMOS 沒記錯的話
07/24 21:08, 1F
‣ 更多 xzcvb 的文章
文章代碼(AID): #18XUnRt3 (Electronics)