[問題] 介電質的壓降

看板Electronics作者helow (宅男超導體)時間18年前 (2008/03/11 14:12)推噓0(0推 0噓 0→)

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假設現有一MOS 他的絕緣層是以二氧化矽跟氮化矽組成當在閘極加電壓的時候各絕緣層的壓降如何求得?? 有想過以分壓定理去求先把氮化矽換成EOT後再用分壓不知道這種算法合不合理?? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.134.36.101

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