[請益] 關於VCO的兩篇論文
各位好:
我是VCO的新手，已讀過Razavi裡面14章振盪器與VCO相關章節，
不過還有許多疑問，上來請各位大大指教。
1.有關於phase noise的定義與物理意義?(才疏學淺,爬文還看不懂)
2.通常是什麼造成K_VCO的值不為常數，還有過大或過小的影響為何？
3.一般我們常看到逆偏的變容二極體(varactor)來控制電容，
是否是因為當V_cont改變，因為電容值的改變，造成
f_osc的改變？〔希望能確定我的想法〕
4.我看paper有提到SiGe HBT(異質接面雙極電晶體)的特色在於:
low 1/f noise and high gain at microwave frequencies.
請問它的機制或是特色所帶來的好處？
5.http://www.badongo.com/file/7556495
這篇提到high linear的作法，利用四對diode和pMOS開關來做，
當V_ctrl升高時，四對diode會依序打開，致使linearly。
請問它的操作原理？
6.http://www.badongo.com/file/7556718
看的懂這篇論文的數學公式，但是卻不不懂他結構上的好處，
簡單來說看的懂數學看不懂背後的電機與物理意義。
煩高手大略翻譯一下。
感謝ＶＣＯ的高手看完我的問題，
如果能讓自己更上一層樓，用力批沒關係。 Orz
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