[問題]MOSFET中technology node 與physical gate length的差異

看板Electronics作者時間18年前 (2008/01/14 13:32), 編輯推噓1(1推 0噓 12→)
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被這問題困擾了很久了 而且當physical gate length較大時 兩者幾乎相同 但是當scale到90~100 nm後即出現明顯差異 所以想請問看看兩者差異 謝謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.96.154.28
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就是名字而已 BMW 335i也不是用3.5的引擎阿
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MB的CL63也不是6.3的引擎阿
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推
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實際上是這樣子.一般在工廠tech node多指的是光罩最小線寬
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但實際上做出來是可以用特殊的技術做出比光罩更小的元件
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然而早期這項技術很多公司都還沒辦法控制的很好.也就是說
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早在大約199X那個年代.人們已經開使用這種技術.只是沒辦法
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控制得很精準.所以不敢縮太多.但你可以觀察大約在2000年
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之後tech node的長度跟實際物理長度開始大幅度拉開.甚至
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到了大約90nm製程大約可以65nm的元件甚至更小.這也是因為
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大家對於這項技術已經比較成熟.可以精準掌控.到目前為止
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據我所知intel跟台灣的T公司.這項技術可以控制到大約光罩
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60％甚至50％都不是問題.也就是說用90光罩大約可以做到50nm
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通道長度的元件都還可以控制得很好..
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