[請益]請問有關HEMT或MOS跟溫度的關係

看板Electronics作者 (軒)時間18年前 (2007/11/23 12:23), 編輯推噓1(1推 0噓 0→)
留言1則, 1人參與, 最新討論串1/1
專題名稱是: Relieved Kink Effects of InAlAs/InGaAs Metamorphic HEMTs through Gate Engineering 三種閘極材料:Au、Au/Ni、Au/Ni with SiNx passivation 請問他們的溫度曲線圖的走向,Vgs對外質轉導的圖形為何上升又下降?? Vgs對Id的圖形為何是上升?? ================================================ PAE(power-added efficiency)是什麼意思(不是要英翻中喔)?? 最好是有相關網站和書籍或是參考資料可以介紹 感謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.225.1.116
推
11/24 08:00, , 1F
PAE: (輸出RF功率-輸入RF功率)/DC功率
11/24 08:00, 1F
‣ 更多 chin7527 的文章
文章代碼(AID): #17HbMsIE (Electronics)