[問題] 請教sonos記憶體之寫入與抹除
小弟不才
想請問各位先進一些有關於記憶體（SONOS）寫入與抹除方面的問題
近期來 我在做有關於SONOS方面的ISE TCAD模擬
而在id-vg的模擬這方面我一直模擬不出我要的結果
我想可能的原因可能在於偏壓（？）
我查了很多篇paper 關於寫入與抹除的方式
大概就是分為：熱電子注入和F-N穿遂 這兩種形式
=====================以下就是不確定、我有疑惑的，有錯請鞭====================
對於F-N穿遂 我看到的paper是在閘極加大電壓（約１０來伏）
而source和drain都是接地 寫入和抹除只差在閘極是正或是負
然而，我用ISE TCAD模擬不出任何結果 我也不曉得是什麼問題
(囧，我是用gate=正十伏，source & drain=接地）
還是我根本就搞錯他的偏壓方式？有人知道正確的偏壓方式嗎？
可以給我一個大概的電壓範圍嗎？（如gate=?V drain=?V etc)
對於熱電子注入 我看到的paper都是gate和drain作偏壓
而大多數都是施予gate一個大電壓（通常有個範圍）
drain的話 就是一個約一到三伏特之間的定電壓
而寫入和讀取 也都是只差在閘極是正還是負而已（？）
然而，我在模擬寫入的時候，給的數據是Vg=０到１０ Vd=３
（教授給了我一個疑惑，Vg是０到１０還是１０到０？）
不過跑出來還是怪怪的 跟paper上的idvg不太像
不知道是我的製程方面出問題還是．．．
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以上或許看起來很亂 不知道要問什麼
不過總歸一句
我要問的是以上這兩種(fn和che)的erase writting偏壓方式
也希望可以告知一般大約電壓是用多少
希望有經驗的大大能幫忙 謝謝!!
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殘雪未盡 殤風又吹 有道是愁難盡也！
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