[問題] 關於CMOS電晶體的臨界電壓

看板Electronics作者 (小小)時間18年前 (2007/09/03 16:57), 編輯推噓1(1推 0噓 1→)
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最近使用到台積電的0.18um製程,看技術文件時發現,通道寬度(w)為1.6um時比通道寬度 為2.2um時的臨界電壓(vt)來的低 電晶體不是有窄通道效應嗎?較窄的通道寬度其臨界電壓不是會相對的比較高... 還是我觀念搞混了?! 麻煩各位大大了 謝謝 ^^" -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.170.118.61
推
09/12 22:29, , 1F
你說的那個效應..應該是只第三維度所引起的...
09/12 22:29, 1F
→
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也就是元件的深度(長、寬、深)
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