[問題] subthreshold leakage current

看板Electronics作者normanshi (原則就是原則)時間19年前 (2007/04/22 23:34)推噓4(4推 0噓 0→)

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不好意思又是做題目做到想不出來希望有人可以給點提示前面的問題是要找出常溫時inverter的次臨界電壓時的漏電流條件是 A = 0 , betan = 2 betap = 1mA/V^2 , n = 1.4 Vt = 0.4V 假設DIBL 和 Body effect忽略這題的Ids我算出來了公式是 [Vgs-Vt)/(n*VT)] (-Vds/VT) Ids = Ids0 * e * (1 - e ) 1.8 Ids0 = beta * VT^2 * e 後面問的是以unit transistors做出NAND , input A = B = 0 請證明此NAND的次臨界電壓時的漏電流為上一個inverter的一半這個我想了很久想不出來... unit transistors做出的NAND應該還是長成如下圖這樣不是嗎? ______________ Vdd _| _| A -o||_ B -o||_ |__________| |____ Y _| A -||_ _| B -||_ | GND 但是在上面的公式中我實在找不出有什麼因素會讓Ids變成原來的1/2倍希望有人可以幫我解答一下疑慮或提示一下也好謝謝~!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.120.227.101

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normanshi

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