[問題] 請問 tsmc .18製程

看板Electronics作者 (htbroken)時間19年前 (2007/03/30 22:51), 編輯推噓2(2推 0噓 2→)
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請問一下 .18 製程 中 mos 有分 1.8v 和 3.3v ~ 那們這之間的差異在於 ?? 是否我也可以將 .18製程 操作於 1v , 壞處在於 ? (因為我的確有看過 .18 使用 vdd=1v的 paper) 除此之外 電阻 ,電容製程上的 "絕對誤差" 為多少呢 ? 以上疑問 , 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.148.249
推
03/30 23:58, , 1F
mos分1.8v和3.3v應該是最大耐壓不同 .18可操作在1v
03/30 23:58, 1F
推
03/31 00:24, , 2F
低電壓者用於內部電路省電，高電壓者用於I/O趨動外部電路
03/31 00:24, 2F
→
03/31 00:25, , 3F
絕對誤差，15% 都算正常，所以最好是用相對誤差的設計
03/31 00:25, 3F
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03/31 00:26, , 4F
相對誤差是有文件的，但是 TSMC 沒有開放給學術界使用
03/31 00:26, 4F
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