[問題] MOS與IGBT損耗方式計算

看板Electronics作者 (<< 霍元甲 >>)時間19年前 (2007/03/09 11:29), 編輯推噓1(1推 0噓 1→)
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MOS： turn-on Power lose=(Ids_RMS)^2 x (Rds_on) IGBT: turn-on Power lose=(Ice_avg)x(Vce_on) 請教一下 是因為MOS等效為電阻，IGBT等效為電壓形式， 所以在計算上一個用RMS值 一個用AVG值嗎? 為什麼電阻是使用RMS計算呢? 如果錯誤的地方，請各位高手指正，小弟虛心領教 感謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.116.178.229
推
03/09 13:46, , 1F
power 應該都要用 rms value 來算吧
03/09 13:46, 1F
→
03/09 13:46, , 2F
而且 MOS 的 Rds 非定值, 寫成 Ids_rms x Vds_rms 也沒錯
03/09 13:46, 2F
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