[問題] 關於半導體的接面工程

看板Electronics作者mrjoker (>﹏<)時間19年前 (2007/01/10 20:49)推噓0(0推 0噓 0→)

留言0則, 0人參與討論串1/1

請問各位版友們在半導體製程中 MOSFET的p-n接面處會產生的不理想效應會有哪些呢？就我所知的有短通道效應和熱載子效應那麼其他還有哪些是會在這個接面發生的問題？ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.134.36.165

文章代碼(AID): #15fE3nYM (Electronics)