請問GaN LASER DIODE
不好意思,不是很有概念,故想請教一下
據我所知一般VCSEL的GaN laser是在MQW上下各夾DBR
造成microcavity效果而從側面"發散"的激發出雷射
但是我們一般希望雷射是直線前進不是嗎 請問這要如何應用呢!?
再請問 以側面發散放光是叫 surface emitting light!?
那一般正向或背面發光的叫甚麼呢 !?
另外,DBR中間的共振腔和波長間有甚麼關係呢!?
最後想請問,上下都有DBR的結構金屬要怎麼打線成元件呀 !!??
謝謝
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