[問題] 為什麼基底雜訊抑制PMOS比NMOS好

看板Electronics作者 (小小)時間19年前 (2006/07/31 01:43), 編輯推噓2(2推 0噓 1→)
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如題,是因為PMOS有N-WELL的關係嗎? N-WELL是什麼效應讓substrate noise隔離掉 是利用它有PN接面電容的機制嗎?...這方面不怎熟悉 請教各位大大了.....謝謝^^ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 218.172.251.199
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07/31 02:15, , 1F
因為PMOSFET是buried channel device,在先進製程則不一定
07/31 02:15, 1F
推
08/01 18:45, , 2F
為啥pmos是buried channel? channel不就在gate 下?
08/01 18:45, 2F
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08/01 18:46, , 3F
不過pmos通常有N埋藏層阻隔基底跟channel是真的...
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