Re: 請問OP用BJT和MOS的優缺點在那?

看板Electronics作者 (leg)時間20年前 (2005/12/14 07:29), 編輯推噓0(000)
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※ 引述《MoonMoon.bbs@bbs.ee.ncnu.edu.tw (朋)》之銘言: : ※ 引述《josephchu.bbs@bbs.ccns.ncku.edu.tw (BME新生)》之銘言: : > BJT特性有容易受溫度變化 : > MOS參數中無溫度變化係數,故較不易受環境影響 : 同是矽材料, PN 的接面, 溫度影響不可免. : 影響有多大? 電路可抵消, 書中自有答案說. In silicon, BJT has higher transconductance and an ability to build temperture independant reference; MOSFET has better linearity and lower power dissipation in digital circuits which helps to integrated as a mixed signal chip. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 128.138.189.116
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