Re: [問題] 請教幾個和半導體相關的問題！急!!!
我做個小補充
1. Metal 與 Si 由於work function 差異, 兩者接觸的話, 在介面地方會有
diode 的特性, 這是不樂見的.我們希望的是能具備電阻的I-V特性. 最簡單
的解法有二. 一是打高濃度的N 或者是 p. 如此可以減少barrier
的寬度, 電壓反偏時carrier 會以 tunning 方式傳輸而達到電阻特性.
第二種方法是以metal 如 Ti,Co,Ni 等金屬與Si 經過熱處理產生合金.
此合金亦符合電阻I-V特性.
2. 以MOSFET 這個元件而言, 他有四個端點, 即 Drain/source/Gate/Bulk.
在Al世代古老的早期製程裡, 元件之四個端點是直接經由Al與Si 的接觸而達
到連接. 經過一些thermal ,Al 會吃Si, 從Drain或Sorce端吃穿到Bulk,此
即為 junction spike. 這時後就等於 drain/source/bulk 全部被Al 連在一
起. 四端元件變成兩端元件(Gate 與 Drain/source/bulk), 除非desinger當初
剛好是這樣設計(ex:電容), 否則電路會fail.
==> 在 chiohero.bbs@ptt.cc (chris) 的文章中提到:
> Q1.自我對準金屬矽化合物(salicide)
> 在行成矽化金屬會自動與源極,汲極和多晶矽閘極對準
> Q2.Junction Spike現象
> 我想你問的是不是鋁會跑到矽裡面的Junction Spike
> 因為鋁容易和SiO2反應,溫度升高時矽源就會跑出來而和鋁反應,因此在wafer
> 會留下孔洞,而使得Junction Spike現象產生
> Q3.Reflow
> 改善階梯覆蓋的方法==>使摻雜氧化絕緣層的轉角圓化並使側壁產生斜坡化
> 小的不材..
> 不知有沒有回答出你的問題
> 如果有錯誤還是有啥疑惑也請不吝指教~~~
> ※ 引述《Stevenchow (史提芬周)》之銘言：
> : 在看書的時候發現幾個不解的名詞，想請教大家，如果有人會的話
> : 麻煩請回覆一下！謝謝。
> : 首先，請問什麼是自我對準金屬矽化合物(Self-aligned silicide)
> : 我是在合金熱處理的部份看到的，不太明白這個在這部扮演什麼樣的角色。
> : 還有，在合金熱處理的時候，如果溫度太高就容易產生Junction Spike現象，
> : 看起來這個現象似乎不太好，但是為什麼呢？哪裡不好？
> : 最後，為什麼Reflow過程可以使微影製程的解析度更好且使金屬化更順利呢？
> : 以上就是小弟的問題了，如果有網大知道的話，麻煩務必告訴我，謝謝！
> : 我的信箱：johouse0825@ms54.url.com.tw
> : 謝謝！
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