Re: Canon S100 / S95 簡單心得與比較,分享如何看 …
※ 引述《AlexJude (總有人說我像小剛)》之銘言:
: 而感光元件改成背照式CMOS,如果推出的話
: 應該是市面上第一款1/1.7"最大面積的背照式CMOS機種
: (有誤的話,請麻煩跟我說一下:) )
這誤會可大了...
這得先從何謂"CMOS Image Sensor"開始說起,
CMOS的全名是Complementary Metal-Oxide Semiconductor,
互補式金屬氧化物半導體,除了感光元件外,
這是現今絕大部分的IC所採用的製程,採用此種製程製造出來的感光元件,
就是CMOS Image Sensor,但製程上的特性關係,
電路設計與CCD並不相同,我想應該不會有人對電路有興趣所以我就不提了...
除了電路設計之外,CCD採用的製程並非CMOS,
所以現在多以這樣的簡稱來分辨這兩種感光元件
CMOS製程的特點在於半導體元件一定會長在最底層,
上面則是絕緣層與金屬走線往上疊,就感光元件電路來說,
CMOS Image Sensor每一個畫素都會有一顆感光二極體(Photo-diode),
還有對應的Sigma-Delta Modulator,這使得電路架構相對CCD來說複雜很多,
Photo-diode能受光的面積有限,也就是開口率不及CCD
當感光元件的片幅縮到1/2.X"這種DC常用的尺寸時,又要衝高畫素
開口率就更小了,開口率小進光量也跟著變少,
太少的進光量對Photo-diode來說不但光電轉換效率差,雜訊也多
所以Sony才會弄了個有趣的做法---Back Side Illuminated CMOS,
就是背照式CMOS,簡單來說就是把Photo-diode長在CMOS矽基板的"背面",
這樣上方完全不會有絕緣層與金屬走線擋到,理論上開口率是近乎100%,
有效解決了小尺寸感光元件開口率小的問題
但如果您有看過官網上各產品的介紹,
會發現到一件事---除了1/2.X"片幅以下的相機,其他較大片幅的,
都不是背照式CMOS
原因很簡單,感光元件片幅變大後,如果畫素與1/2.X"的一樣,
甚至更少,Photo-diode受光面積至少是一樣大的,甚至還會更大,
如此一來用背照式的製程就沒有太大的意義
而且Photo-diode幾乎無阻隔的外露,很容易在高光環境下進入飽和,
也就是無論光線變化多少,光電轉換的結果幾乎都在同一個狀態,
所以背照式CMOS在高光細節下有它的劣勢
講了這麼多,其實就只有底下幾點結論:
1. 背照式CMOS 不等於 CMOS,這兩者有著很根本的不同
2. 現在所有背照式CMOS一定是1/2.X"甚至更小的片幅
3. 除非1/1.6"或1/1.7"感光元件的畫素是兩千萬以上,否則絕對是CCD或CMOS
4. 如果有任何非官方的網站寫說1/1.6"以上的片幅採用的感光元件是"背照式CMOS"
而畫素沒有特別高,那麼它百分之一百是唬你的
(現在有一些網站把DSLR或EVIL的感光元件寫成背照式CMOS,真是有些哭笑不得...)
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.60.246.94
※ 編輯: aztec1234 來自: 61.60.246.94 (09/17 20:28)
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