[製程] TSV孔洞電鍍填充

看板ChemEng作者 (摳逼接)時間6年前 (2018/10/02 13:51), 6年前編輯推噓1(1推 0噓 3→)
留言4則, 1人參與, 6年前最新討論串1/1
各位板友大家好 小弟的製程有一道是TSV(through silicon via) 簡言之就是將silicon挖穿一個洞 孔洞大小約為5-10um, 深200um 孔洞需要金屬填滿 目前的想法是電鍍銅進去 但不確定有沒有辦法填滿 根據此篇論文 DOI: 10.1038/srep46639 電鍍溶液中還加了suppressor, accelerator, levelling agent 是否在溶液中加入這些添加劑可使得孔洞填得更好呢 那這些添加劑應該怎麼選擇 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.112.49.139 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/ChemEng/M.1538459480.A.1C4.html
推
10/03 00:57, 6年前 , 1F
先確認seedlayer是否完整再電鍍吧
10/03 00:57, 1F
有搜尋過相關資料，有找到興大化學有在代工填孔的服務，記得沒錯確實是竇教授，請問你是他的學生嗎，或許我可以站內信與你討論，謝謝 會先蒸鍍銅作為seedlayer沒錯，但不確定說是否孔洞的側壁也會有銅 ※ 編輯: jaylin14 (36.226.150.15), 10/03/2018 01:37:58
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10/05 19:44, 6年前 , 2F
深200應該是不會完整的seedlayer
10/05 19:44, 2F
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10/05 19:44, 6年前 , 3F
若要完整可以請教中興大學化工系竇維平教
10/05 19:44, 3F
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10/05 19:44, 6年前 , 4F
授
10/05 19:44, 4F
※ 編輯: jaylin14 (111.243.45.221), 10/06/2018 04:02:15
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