[製程] 高深寬比結構的氫氟酸蝕刻問題請益

看板ChemEng作者 (小老鼠的天空)時間8年前 (2017/10/04 17:36), 編輯推噓0(0推 0噓 2→)
留言2則, 2人參與, 8年前最新討論串1/1
各位化工高手想請教製程相關問題 我遇到一個問題是wafer表面有高深寬比洞的結構 先洗HF 後接NH4OH洞底會吃不乾淨 我懷疑是因爲經過HF洗後，表面成斥水性 所以後續的NH4OH才進不到洞裡蝕刻 請問我要怎麼讓HF洗過後不會斥水性 HF 接的水洗久一點嗎？ 還是降低HF本身溫度？ 懇請高手解惑 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.47.21.81 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/ChemEng/M.1507109760.A.AF7.html
→
10/17 06:57, 8年前 , 1F
你的結構尺度多少？
10/17 06:57, 1F
→
10/19 23:58, 8年前 , 2F
20nm
10/19 23:58, 2F
‣ 更多 o03213 的文章
文章代碼(AID): #1PrAk0ht (ChemEng)