[問題] OLED的陰極LiF材料
在製做OLED元件時，經常會在金屬陰極與電子傳輸層之間夾一層薄薄的lithium fluoride
以增加電子注入的效率，那LiF增加電子注入效率的機制為何呢?有一說是可以讓電子透過
tunneling effect由陰極進入電子傳輸層，但為何電子透過絕緣的LiF穿隧進入電子傳輸
層的效率會比陰極直接與電子傳輸層接觸，讓電子可以直接進入電子傳輸層的效率還要
高呢? 另外除了穿隧效應，還有其他機制可以解釋電子注入效率的增加嗎?
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