[製程] 請問TI/TIN去除蝕刻率主要是由哪個影響較高?

看板ChemEng作者 (找尋夢想中...)時間14年前 (2011/08/31 20:56), 編輯推噓1(1推 0噓 0→)
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想問一個製程上的問題... 我雇的酸曹蝕刻率突然偏高好一陣子... 主要是測量wafer上的TI/TIN去除率(film為TI/TIN) 過的槽為NH4OH+H2O2+H2O (SC1) 請問蝕刻率偏高, 是哪個影響較大@@"? 到底是H2O2影響大還是NH4OH??? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 1.169.187.218
推
11/09 17:19, , 1F
H2O2氧化 會加速反應
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